闪光照相中FXRMC和MCNP4B的散射比较研究

 散射问题是高能辐射成像研究中的一个重要问题，采用蒙特卡罗模拟来确定散射对提取客体信息的影响是一种重要的研究手段。简单介绍了FXRMC和MCNP4B程序的特点及其记录方式；在确保相同输入参数的条件下，针对不同的照相模型进行了对比计算。结果表明两个程序计算的散射照射量相对差别小于5%，说明这两个程序具有较高的符合程度。通过与实验结果的比较发现，这两个程序模拟的散射分布与实验结果基本一致，均可用于高能闪光照相的模拟研究。还给出了在散射检验方面的一些建议。     

熔融织构YBCO的磁性

测量了熔融织构YBCO样品从1.5K到89K的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在1.5K,7K和10K观察到磁通跳跃,在15—83K的温度区间观察到峰值现象。详细分析了磁化曲线和磁临界电流的各向异性。讨论了晶粒之间连接的性质和主要的钉扎中心。 关键词：     

磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。     

离心式冷水空调机组中CFC11替代工质的研究

对几种 HFCs、HFEs 类新工质和混合工质M1、M2进行了以在离心式冷水空调机组中替代 CFC11为目标的理论循环性能分析。结果表明,M1具有作为 CFC11 灌注式替代物的潜力;HFC143 循环性能优良,更适合应用于新设计的系统中。     

掺杂PVK薄膜的荧光谱及电荷转移

根据PVK掺杂后荧光谱的变化，说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递，用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解，结果表明：在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它僮之间的电荷转移，且随着杂质浓度的变化，其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。     

污染气体红外光谱鉴别器的优化设计

针对污染气体红外光谱特征分布的复杂性，结合几种线性分类器的特点，通过对每个环节的深入分析，设计出一种混合多叉树状光谱鉴别器。实验结果表明：此光谱鉴别器不仅结构简洁，设计合理，具有很高的分类能力和判别准确率，而且具有较好的灵活性和稳定性，完全满足快速识别的需要，是一种高效的光谱鉴别器。     

单晶硅纳米薄膜面向导热MD研究的探讨

本文分析了经典分子动力学(Molecular Dynamics)技术在模拟厚度在纳米量级的单晶硅薄膜平行于薄膜平面方向的热导率时出现的用难,指出精确计算薄膜表面附近处的原子运动状态对于单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟具有重要意义,并在此基础上提出采用基于分子动力学和预处理共轭梯度法(Preconditioned conjugate Gradients)的Ab Initio方案模拟面向热导率。     

ICP—AES法测定混合稀土铜合金中14种元素

本文研究了用ICP-AES法,不必化学分离,一次同时测定混合稀土铜合金名14种稀土和非稀土元素,获得满意结果。     

波荡器位相误差及垫补计算

 给出了波荡器位相误差的函数式, 可由磁场峰值分布直接计算波荡器位相均方根误差。给出了波荡器垫补修正场的简单解析计算式, 可根据垫片的位置、大小、厚度、磁极间隙等参数直接计算出对磁场及位相的修正 。